出一種基于環(huán)形諧振器調(diào)制器的光學引擎架構(gòu)，以解決共封裝光學應用的容量需求。展示了核心100Gb/s發(fā)射器單元的系統(tǒng)性能，并展示了使用8個波長在單根光纖上的800 Gb/s傳輸。（IPC 2020）

第二節(jié)    光學引擎架構(gòu)

圖1顯示了基于環(huán)形諧振器的3.2Tb/s光學引擎的建議概念。環(huán)形諧振器調(diào)制器為高密度應用提供了許多優(yōu)勢。首先，它的占地面積非常小，小于0.01mm^2。因此，結(jié)電容小于100 fF。調(diào)制器可以作為集總元件來驅(qū)動，從而簡化了驅(qū)動器架構(gòu)并限制了功耗。其次，環(huán)形諧振器調(diào)制器是波長選擇的，允許使用波分復用（WDM）方案的體系結(jié)構(gòu)，每個光纖對具有多個通道（波長）。與多波長激光器（例如量子點激光器）結(jié)合使用，可將TB容量光學引擎所需的光纖和激光器數(shù)量減少到實用水平。

光學引擎的制造必須具有很高的良率，才能滿足TB級別的成本目標。這需要通過銅柱互連，光纖的無源對準和晶圓級激光附著進行2.5D或3D集成。

圖1-a）用于具有51.2 T開關(guān)ASIC的共封裝應用中的3.2 Tb/s光學引擎的建議架構(gòu)，由基于環(huán)的100G調(diào)制器和接收器單元構(gòu)成，并具有邊緣耦合光纖陣列；b）100G調(diào)制器單元的SEM，位于150μm間距的Cu柱之間。

圖2-a）由驅(qū)動器IC和SiP芯片組成的800G發(fā)射機的框圖，以及梳狀輸入頻譜和調(diào)制輸出頻譜；b）環(huán)形諧振調(diào)制器的消光比與插入損耗的關(guān)系，突出顯示了插入損耗為6dB時的工作點；c）在最佳工作點處的100 Gb/s PAM-4眼圖，已捕獲且在Rx處施加了5抽頭FFE。

第三節(jié)   800 Gb/s傳輸器性能

為了演示50 Gbaud發(fā)射機單元的性能，制作了一個800 Gb/s發(fā)射機演示，如圖2所示。它由8個通道組成，這些通道由100 Gb/s PAM-4調(diào)制，并以WDM配置發(fā)射到單根光纖中。調(diào)制器包含兩個相移段，它們具有2：1的環(huán)覆蓋率。較長的段使用最高有效位（MSB）進行編碼，較短的段使用同步的最低有效位（LSB）進行編碼，以使組合的光調(diào)制為PAM-4格式。每個段均由一個22 nm CMOS的3.2 V擺幅50Gb/s NRZ驅(qū)動器IC驅(qū)動。

硅光子管芯由公共邊緣面上的輸入和輸出邊緣耦合器形成，并通過單個總線波導連接在管芯上。八個環(huán)形調(diào)制器在總線波導上串行定向，每個調(diào)制器均由熱調(diào)諧器控制。外部量子點激光源提供了以100 GHz間隔的8個C波段波長的輸入梳。如圖2a所示，將每個環(huán)形調(diào)制器熱調(diào)諧到單獨的波長。

硅光子管芯和驅(qū)動器IC均具有150um間距的銅柱陣列，并倒裝芯片安裝在335 um厚的有機中介層上。MSB和LSB驅(qū)動器位于環(huán)形調(diào)制器的正上方，直接通過中介層中的過孔互連。

驅(qū)動器IC包含用于每個通道的內(nèi)部PRBS發(fā)生器，需要28 GHz外部時鐘輸入。因此，發(fā)射器不需要RF輸入波形，從而形成了獨立的發(fā)射器組件。

每個通道的插入損耗為6 dB，消光比為5dB，如圖2b所示。這是模擬的工作點，可提供-4.2 dBm（相對于0 dBm輸入）的最大光調(diào)制幅度（OMA）和0.95 dB的TDECQ。還顯示了此狀態(tài)的原始眼圖。請注意，驅(qū)動器IC內(nèi)部沒有Tx預加重，電平設置或FFE。在TDECQ計算中添加5個抽頭的RxFFE會產(chǎn)生一個開放且均勻的眼圖。

每個100 Gb/s的通道平均耗散2.25pj/bit的電能，并占用0.27 mm^2的面積。不考慮邊緣光纖耦合所需的裸片面積，這提供了370 Gb/mm^2的帶寬密度。

第四節(jié)    結(jié)論

提出了一種光學引擎架構(gòu)，能夠解決未來十年數(shù)據(jù)中心連接性和存儲面臨的高密度光學互連挑戰(zhàn)。該基于環(huán)形諧振器的平臺通過使用具有單光纖輸出的800 Gb/s PAM-4發(fā)射機進行了演示，該發(fā)射機在C頻段工作，能耗為2.25 pJ/bit。